英飞凌FZ1800R12KF3 IGBT模块其标准化封装，高功率密度非常适用于紧凑型逆变器的设计中，经过近二十年的发展， FZ1800R12KF3/FZ1800R12HP4两种模块已经在风力发电、太阳能光伏、电力传输、无轨电车、动车组、船舶推进去、医疗设备以及多电平逆变器等多个电子设备中得到运用。
英飞凌FZ1800R12KF3 IGBT模块和FZ1800R12HP4模块产品基本参数：IGBT模块 1200V/1800A/1U IHM190mm 封装
英飞凌FZ1800R12KF3 IGBT模块参数：
产品种类： | IGBT 模块 |
品牌和型号 | 英飞凌FZ1800R12KF3 |
产品： | IGBT Silicon Modules |
配置： | Triple Common Emitter Common Gate |
集电极—发射极电压 VCEO： | 1200 V |
集电极—射极饱和电压： | 2.7 V |
在25 C的连续集电极电流： | 1800 A |
栅极—射极漏泄电流： | 400 nA |
功率耗散： | 5 kW |
工作温度： | + 125 C |
封装 / 箱体： | IHM190 |
商标： | Infineon Technologies |
栅极/发射极电压： | +/- 20 V |
工作温度： | - 40 C |
安装风格： | SMD/SMT |
英飞凌FZ1800R12KF3作用于逆变器
一般逆变器的结构中包括包括底板、IGBT功率模块、电解电容、PCB板、负铜板、绝缘膜、正铜板。功率模块安装在底板上，电解电容焊接在两块PCB板上，两块PCB板放置在功率模块的上下两侧，负铜板固定连接IGBT功率模块的负极和PCB板的负极，正铜板固定连接功率模块的正极和PCB板的正极，绝缘膜用于负铜板和正铜板之间的绝缘。